CJU10N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU10N10 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 110mΩ@10V 9.6A TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU10N10 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRFR120NTR (YOUTAI)
 

IRFR120NTR (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
P- IRLR120NTR (YOUTAI)
 

IRLR120NTR (INFIN)
TO252 2500 шт
 
P- YJD15N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
P- WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO13N10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CS14N10A4 (CRMICRO)
 
TO252
 
P- JMTK10N10A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO175N10HG4 (WAYON)
 
 
P- NCE0110K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P- CRTD700N10S-V-G (CRMICRO)
 
TO252
 
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3
A+ WMQ10N10TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 1000 шт
 
±
A+ NCE0115K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE0110AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ JMTQ11DN10A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ 12N10 (YOUTAI)
 
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ 15N10 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
A+ NCE0117I (NCE)
 
TO251
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
23 февраля 2024
новость

Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

27 февраля 2023
новость

MOSFET азиатских производителей

Полевой транзистор или MOSFET – неотъемлемый компонент в любом электронном устройстве. Существует огромное количество полевых транзисторов в различных конфигурациях, предназначенных для самых разнообразных задач. При этом с известной степенью... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.