IRFR120NTR
UMW
R
IRFR120N
D
Description
The D-PAK is designed for surface mounting
using vapor phase,infraredor wave soldering
techniques. Power dissipation levels up to
1.5 watts are possible in typical surface mount applications.
G
S
Features
VDS (V) = 100V
ID = 9.4A (VGS = 10V)
RDS(ON) =210mΩ (VGS = 10V)
www.umw-ic.com
1
UTD Semiconductor Co.,Limited
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: IRFR120NTR (INFIN)
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 27
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMO13N10TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | WMO175N10HG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCEP0116K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | |||||||||||
P- | CS14N10A4 (CRMICRO) | TO252 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | WMO175N10HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | CJU10N10 (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | NCE0110K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMO15N12TS (WAYON) | TO252 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD15N10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJS15G10C (YJ) | SO-8 SOIC8 | 10 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJS11G10A (YJ) | SOP-8 | в ленте 8000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | FQD13N10LTM (YOUTAI) FQD13N10LTM (ONS-FAIR) | — | 1 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | IRFR3910 (EVVO) IRFR3910 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK10N10A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | 1 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJS12G10A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 200 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMS099N10LGS (WAYON) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMS175N10LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ10N10TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | IRFR3910TR (YOUTAI) IRFR3910TR (INFIN) | — | в ленте 2500 шт |
| — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.