YJG100G08A

Yangjie
RoHS YJG100G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 100A ＜4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMB053NV8HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CRTT088N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ IRFS3607L (EVVO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ IRFP4110 (EVVO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ IRFB4110 (EVVO)
 

IRFB4110 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — —
A+ NCE8295AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK043N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJB180G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG100G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 100A ＜4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 80 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TC=25℃ Unit 100 Drain Current ID A TC=100℃ 63 Pulsed Drain Current A IDM 400 A Avalanche energy B EAS 600 mJ Tc=25℃ 152 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 61 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 Symbol Limit ℃ ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Units 22.3 RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State 40.7 RθJC ℃/W 0.819 ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) YJG100G08A F1 YJG100G08A 5000 10000 OUTER CARTON DELIVERY MODE QUANTITY(pcs) 100000 13“ reel 1/7 S-E155 Rev.1.0,30-Aug-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG100G08A 

Дата модификации: 20.11.2021

Размер: 819 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 мая 2023
    новость

    Новинка от SUNCO – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

    Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCO предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)