YJG80G06A

SUNCO
RoHS YJG80G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● ID (Package limited) ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 110A 80A ＜4.2 mohm ＜5.2 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ WMB100N07TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ BLM04N06-B (CN BELL)
 
—
 
 N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
A+ CJP120SN08 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 — — — — —
A+ CJB120SN08 (JSCJ)
 
TO2632L
 
 — — — — —
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
— 125 шт ± — — — — —
A+ CJAC100SN08 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —
A+ WMB034N06LG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 20 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — — —
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
—
 
 — —
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJG80G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● ID (Package limited) ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 110A 80A ＜4.2 mohm ＜5.2 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V ID 110 A Drain Current Unit 80 TC=25℃ Drain Current A ID A 50 TC=100℃ Pulsed Drain Current B IDM 320 A Avalanche energy EAS 250 mJ 96 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 38 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 16 20 45 55 1.0 1.3 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG80G06A F1 YJG80G06A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E051 Rev.3.1,12-Oct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG80G06AF1 

Microsoft Word - YJG80G06A

Дата модификации: 13.10.2020

Размер: 1.09 Мб

6 стр.

RoHS YJG80G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● ID (Package limited) ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 110A 80A ＜4.2 mohm ＜5.2 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V ID 110 A Drain Current Unit 80 TC=25℃ Drain Current A ID A 50 TC=100℃ Pulsed Drain Current B IDM 320 A Avalanche energy C EAS 250 mJ 95 Tc=25℃ Total Power Dissipation PD W 38 Tc=100℃ RθJC 1.47 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Case Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG80G06A F1 YJG80G06A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-D004 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG80G06A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 04.09.2019

Размер: 581.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)