YJH03N06B

Yangjie
RoHS YJH03N06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) 60V 3.5A ＜100mohm ＜120mohm ＜200mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ TSM900N06CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
 — —
A+ CJU07N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB03DN06T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJH03N06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) 60V 3.5A ＜100mohm ＜120mohm ＜200mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±16 V 3.5 TA=25℃ Drain Current A ID 2.8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 14 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ Steady State PD 1.7 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 74 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE F1 6003 1000 10000 40000 7“ reel F2 6003 1000 8000 32000 7“ reel YJH03N06B 1/7 S-E663 Rev.3.1,3-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJH03N06B 

Microsoft Word - YJH03N06B Rev3.1

Дата модификации: 04.11.2022

Размер: 523 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)