YJJ2322A

RoHS YJJ2322A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) 20V 4.3A < 30mohm < 40mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 8205A (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
±
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ±
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ±
A+ CJS2019 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
±
A+ CJQ9926 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
A+ CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
±
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ±
A+ CJL2322 (JSCJ)
 
SOT236L ±
A+ CJL2019 (JSCJ)
 
SOT236L 50 шт
 
±
A+ CJL2016 (JSCJ)
 
SOT236L 60 шт
 
±
A+ CJL2013 (JSCJ)
 
SOT236L ±
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
 
±
A+ YJS8205B (YJ)
 
1 шт
 
A+ LDN2367T1G (LRC)
 
SOT26
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.