YJG85G06H

SUNCOYJ
RoHS YJG85G06H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 85A ＜5.3mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN5060-8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ BLM04N06-B (CN BELL)
 
—
 
 N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
 — — —
A+ JMSL0606AKQ-13 (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0606AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0602AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0804NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0606AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
— 125 шт ± — — — — —
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG80G06A (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG85G06H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 85A ＜5.3mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 15 TA=25℃ 10 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 85 TC =100℃ 60 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 300 A EAS 169 mJ 3 TA=25℃ 1.5 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 75 TC =100℃ 37 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+175 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.6 2 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG85G06H F1 YJG85G06H 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E448 Rev.1.0,09-Oct-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG85G06H 

Дата модификации: 09.10.2023

Размер: 671.8 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 января 2024
    новость

    SUNCOYJ представляет новые MOSFET семейства N60V

    Компания SUNCOYJ продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)