Вход / Регистрация

YJG85G06B

SUNCO
RoHS YJG85G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 85A ＜5.2mΩ ＜8mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN5060-8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ CJP120SN08 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 — — — — —
A+ CJB120SN08 (JSCJ)
 
TO2632L
 
 — — — — —
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
— 125 шт ± — — — — —
A+ CJAC100SN08 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —
A+ WMB034N06LG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 20 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — — —
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ CRST055N07N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — — — — —
A+ YJG80G06A (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ JMTG060N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ TQM050NB06CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG85G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 85A ＜5.2mΩ ＜8mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 15 TA=25℃ 10 TA=100℃ Drain Current Pulsed Drain Current Unit ID A TC=25℃ 85 TC =100℃ 60 A Avalanche energy B IDM 340 A EAS 144 mJ 3 TA=25℃ 1.5 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 115 TC =100℃ 57 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+175 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.1 1.3 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG85G06B F1 YJG85G06B 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E373 Rev.1.1,24-Oct-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG85G06B 

Дата модификации: 24.10.2023

Размер: 688.8 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 января 2024
    новость

    SUNCO представляет новые MOSFET семейства N60V

    Компания SUNCO продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение до... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)