Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

12 февраля
Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET-транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC-преобразователях, сварочных инверторах, зарядных устройствах, преобразо...
управление питаниемуправление двигателемJSCJWayonNCECR MICROстатьядискретные полупроводникиMOSFETSJ MOSFETVD MOSFETFET

SiC MOSFET против традиционных IGBT: возможности и перспективы

28 мая 2025
В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элемен...
управление питаниемуправление двигателемJSCJNCEAnbon SemiStarpowerATELECTSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET

На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

14 марта 2024
Продукция китайского фаблесс-производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на разработке ш...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеNCEновостьдискретные полупроводникиMOSFETTO-247компактный корпусTO-220SOT23