Технические особенности и перспективы применения SiC-модулей вместо IGBT

6 октября
Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Популярность SiC-решений растет благодаря развитию технологий и расширению ассортимента производителей. Эти компоненты находят широкое применение по всему миру в электромобилях, промышленных приводах, источниках бесперебо...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеWuxi Leapers SemiconductorStarpowerATELECTCRRCBYDстатьядискретные полупроводникиIGBTHybrid IGBTSIC module

Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

22 июля
Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Применение карбид-кремниевых компонентов позволяет повысить КПД, сократить габариты и увеличить надежность силовых устройств. Китайские компании предлагают SiC-компоненты, сопоставимые по характеристикам с международными ...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеGPTAnbon SemiATELECTSUNCOстатьядискретные полупроводникиSiCSiC MOSFETSiC SBD

SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

27 июня
Эффективность, надежность и доступность – ключевые преимущества современных компонентов на базе карбида кремния (SiC), которые уже сегодня доступны со склада КОМПЭЛ. Они находят широкое применение в электромобилях, зарядных станциях, промышленных ...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеGPTWayonAnbon SemiYJATELECTSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETSiC DiodeСкладская программаSiC SBD

SiC MOSFET против традиционных IGBT: возможности и перспективы

28 мая
В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элемен...
управление питаниемуправление двигателемJSCJNCEAnbon SemiStarpowerATELECTSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET