В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элемен...
Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремние...
Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства. Э...