Вход / Регистрация

CZT5551

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors CZT5551 SOT-223 TRANSISTOR (NPN) FEATURES   High Voltage High Voltage Amplifier Application 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ 2N5551 (JSCJ)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ DMMT5551S (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors CZT5551 SOT-223 TRANSISTOR (NPN) FEATURES   High Voltage High Voltage Amplifier Application 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 600 mA 1 W 125 ℃/W -55~+150 ℃ IC Collector Current PC Collector Power Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=0.1mA,IE=0 180 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 160 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=0.01mA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=120V,IE=0 50 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 50 nA hFE(1) VCE=5V, IC=1mA 80 hFE(2) VCE=5V, IC=10mA 100 hFE(3) VCE=5V, IC=50mA 30 DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency VCE(sat) VBE(sat) fT 300 IC=10mA,IB=1mA 0.15 V IC=50mA,IB=5mA 0.2 V IC=10mA,IB=1mA 1 V IC=50mA,IB=5mA 1 V 300 MHz VCE=10V,IC=10mA, f=100MHz 100 Collector output capacitance Cob VCB=10V, IE=0, f=1MHz 6 pF Emitter input capacitance Cib VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz 20 pF www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CZT5551 

Microsoft Word - CZT5551 SOT-223_A_.doc

Дата модификации: 12.05.2020

Размер: 719.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)