17 октября 2024
новость
CJAB35N03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAB35N03
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
5.5mΩ@10V
30 V
8.5mΩ@4.5V
ID
PDFNWB3.3×3.3-8L
35A
DESCRIPTION
The CJAB35N03 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
FEATURES
High den...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TQM043NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | CJAB35N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAC40SN03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC40N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC35N03S (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | IPD060N03LG (YOUTAI) | — | 20 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB35SN03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQ50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TQM043NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 4
показать свернуть 16 мая 2023
новость
03 мая 2023
новость
25 апреля 2023
новость
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.