WMQ080N03LG2
WMQ080N03LG2
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMQ080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench
D
D
D
D
D
D
D
D
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
S
S
G
G
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
S
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN3030-8L
S
S
F...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | YJQ35N04A (YJ) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAC35N03S (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | IPD060N03LG (YOUTAI) | — | 20 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB35SN03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJQ50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJQ30N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | CRTE045N03L (CRMICRO) | SOP-8 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG40N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | IRFR3707Z (EVVO) IRFR3707Z (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB080N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ46N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ40N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ30N03T2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ052N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CJAC40N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMQ080N03LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 23.05.2022
Размер: 603 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.