CJAC40N03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFN :%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJA
C40N03
N-Channel Power MOSFET
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
ID
PDFN:%5×6-8L
8Pȍ#9
9
8.0Pȍ#9
$
DESCRIPTION
7KH &-$&1 XVHV DGYDQFHG WUHQFK WHFKQRORJ\ DQG
GHVLJQWRSURYLGHH[FHOOHQW5'6 21 ZLWKORZJDWHFKDUJH,W
FDQEHXVHGLQDZLGHYDULHW\RIDSSOLFDWLRQV
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ80N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJQ50N03B (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC80N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.