YJQ50N03A
RoHS
YJQ50N03A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% EAS Tested
30V
50A
＜6.0 mohm
＜7.0 mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Moisture Sensitivity Level 3
● Epoxy Meets UL 94 V-0...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN83X3
- Норма упаковки: 5000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFN83X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 21
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQ50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQ50N03A
Microsoft Word - YJQ50N03A
Дата модификации: 22.03.2022
Размер: 427.9 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.