MMST2222A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST2222A SOT-323 TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES y Epitaxial planar die construction y Complementary PNP Type available(MMST2907A) MARKING: K3P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Parameter Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Value Collector-Base Voltage Collector...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт
 
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ MMBT5551 (JSMICRO)
 

MMBT5551 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BCW66 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BCW66H (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 1200 шт
 
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
SOT-323-3 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST2222A SOT-323 TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES y Epitaxial planar die construction y Complementary PNP Type available(MMST2907A) MARKING: K3P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Parameter Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Value Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Dissipation Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg Unit 75 40 6 600 200 V V V mA mW -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE(1) hFE(2) hFE(3) hFE(4) hFE(5) hFE(6) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) Transition frequency fT Output Capacitance Delay time Rise time Storage time Fall time Cob td tr tS tf www.jscj-elec.com Test conditions IC= 10μA, IE=0 IC= 10mA, IB=0 IE=10μA, IC=0 VCB=70 V, IE=0 VCE=35V , IB=0 VEB= 3V , IC=0 VCE=10V, IC=0.1mA VCE=10V, IC= 1mA VCE=10V, IC= 10mA VCE=10V, IC= 150mA VCE=10V, IC= 500mA VCE=1V, IC= 150mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA VCE=20V, IC= 20mA f=100MHz VCB=10V, IE= 0,f=1MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA 1 Min Typ Max Unit 100 100 100 V V V nA nA nA 75 40 6 35 50 75 100 40 35 300 1 0.3 2.0 1.2 300 V V MHz 8 10 25 225 60 pF ns ns ns ns Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMST2222A 

Microsoft Word - MMST2222A_SOT-323_.doc

Дата модификации: 15.05.2020

Размер: 630 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.