PZTA06

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 PZTA06 TRANSISTOR (NPN) FEATURES   1. BASE Low Voltage and High Current General Purpose Amplifier Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MARKING: MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Vo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ AD-MMBTA06 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 1GM SOT-23 100-400 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ MPSA06 (JSCJ)
 

MPSA06 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ MPSA06-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 PZTA06 TRANSISTOR (NPN) FEATURES   1. BASE Low Voltage and High Current General Purpose Amplifier Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MARKING: MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V 500 mA 1 W 125 ℃/W -55~+150 ℃ IC Collector Current PC Collector Power Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=0.1mA,IE=0 80 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=1mA,IB=0 80 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=0.1mA,IC=0 4 V Collector cut-off current ICBO VCB=80V,IE=0 100 nA Collector cut-off current ICEO VCE=60V,IB=0 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=3V, IC=0 100 nA hFE(1) VCE=1V, IC=10mA 100 hFE(2) VCE=1V, IC=100mA 100 VCE(sat) IC=100mA,IB=10mA 0.25 V Base-emitter voltage VBE VCE=1V, IC=100mA 1.2 V Transition frequency fT DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE=2V,IC=10mA, f=100MHz 100 MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на PZTA06 

Microsoft Word - PZTA06 SOT-223_A_.doc

Дата модификации: 12.05.2020

Размер: 742.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)