LMBTA06LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors LMBTA05LT1G LMBTA06LT1G FEATURES • We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements. 1 MAXIMUM RATINGS Rating 2 Symbol Value LMBTA05 LMBTA06 Unit Collector–Emitter Voltage V CEO 60 80 Vdc Collector–Base Voltage V CBO 60 80 Vdc Emitter–Base Voltage V Collector Current — Continuous EBO IC 4.0 Vdc ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBTA06 (YJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MPSA06-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
3000 шт
A+ FMMT493 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ PZTA06 (JSCJ)
 

PZTA06 (ONS-FAIR)
SOT-223
A+ MPSA06 (JSCJ)
 

MPSA06 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
A+ 2N5551 (JSCJ)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 2000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ BSR43 SOT-89-3L (JSCJ)
 
25 шт
 
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
 
A+ CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 10 шт
 
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ DMMT5551S (JSCJ)
 
 
A+ FMMT493 (JSCJ)
 

FMMT493 (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors LMBTA05LT1G LMBTA06LT1G FEATURES • We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements. 1 MAXIMUM RATINGS Rating 2 Symbol Value LMBTA05 LMBTA06 Unit Collector–Emitter Voltage V CEO 60 80 Vdc Collector–Base Voltage V CBO 60 80 Vdc Emitter–Base Voltage V Collector Current — Continuous EBO IC 4.0 Vdc 500 mAdc SOT–23 3 COLLECTOR THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol Max Unit PD 225 mW 1.8 mW/°C R θJA 556 °C/W PD 300 mW 2.4 mW/°C 417 –55 to +150 °C/W °C R θJA T J , T stg 1 BASE 2 EMITTER DEVICE MARKING LMBTA05LT1G = 1H, LMBTA06LT1G = 1GM; ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Characteristic Symbol Min Max Unit 60 — 80 — 4.0 — Vdc — 0.1 µAdc — 0.1 — 0.1 OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage(3) (I C = 1.0 mAdc, I B = 0) V (BR)CEO LMBTA05 LMBTA06 Emitter–Base Breakdown Voltage (I E = 100 µAdc, I C = 0) V Collector Cutoff Current (BR)EBO I CES Vdc ( V CE = 60Vdc, I B = 0) Emitter Cutoff Current ( V CB = 60Vdc, I E = 0) µAdc I CBO LMBTA05 ( V CB = 80Vdc, I E = 0) LMBTA06 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. 3. Pulse Test: Pulse Width < 300 µs, Duty Cycle < 2.0%. Rev.O 1/3 PDF
Документация на LMBTA05LT1G 

a1

Дата модификации: 27.08.2012

Размер: 113.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.