NCE30H10G
NCE30H10G
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3065G uses advanced trench technology and design
General Features
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be
● VDS =30V,ID =100A
used in a wide variety of applications.
RDS(ON)=1.9mΩ (typical) @ VGS=10V
RDS(ON)=2.9mΩ (typical) @ VGS=4.5V
Application
● DC/DC Converter
● Idea...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | JMSL0302AG (JIEJIE) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | |||
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | JMTE3002B (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTE025N04D (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0303AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0302AU-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0302AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMGG020V04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG150N03A (YJ) | — | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | JMTE3003A (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE30H10G
Microsoft Word - NCE30H10G data sheet.doc
Дата модификации: 04.06.2021
Размер: 331.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.