NCE3420

NCE3420 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE3420 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. S General Features ● VDS = 20V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON) < 40m...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
в ленте 6000 шт
 
A+ YJS10N02A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
A+ WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
A+ WM02N75M2 (WAYON)
 
SOT233L 1 шт
 
A+ WM02DN70M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN70A (WAYON)
 
TSSOP-8
A+ WM02DN60M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN080C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3416A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
A+ YJL2312AQ (YJ)
 
 
A+ YJL2312AL (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ YJJ08N02A (YJ)
 
SOT236 3000 шт
 
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
A+ NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2300A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ WMR09N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ CJ8810 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE3420 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE3420 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. S General Features ● VDS = 20V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 33mΩ @ VGS=4.5V ● High Power and current handing capability ● Surface Mount Package ● Pb free terminal plating ● RoHS compliant ● Halogen free Application ● Uni-directional Load switch ● Bi-directional Load switch Marking and pin assignment SOT-23 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 3420 Ẋ NCE3420 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V ID 6 A IDM 30 A PD 1.25 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 100 ℃/W RθJL 80 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Thermal Resistance,Junction-to-Lead (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit BVDSS VGS=0V ID=250μA 20 22 - V Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCE3420 

Microsoft Word - NCE3420.doc

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 250.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.