IRLL014NTRPBF-VB

VBSemi
IRLL014NTRPBF-VB www.VBsemi.com IRLL014NTRPBF-VB Datasheet N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 • Halogen-free ID (A)a RDS(on) (Ω) 0.076 at VGS = 10 V 4.5 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Qg (Typ.) • TrenchFET® Power MOSFET RoHS 10 nC COMPLIANT APPLICATIONS • Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATI...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRLL014N (EVVO)
 

IRLL014N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
P- JMTY2310A (JIEJIE)
 
SOT2233L 4000 шт
 
 — — — —
P- NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
P- WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — —
P- YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — —
P- IRLL014NTR (JSMICRO)
 

IRLL014NTR (INFIN) 		— 100 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTN2310A (JIEJIE)
 
SOT893L 1000 шт
 
 — — — —
A+ YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ TSM850N06CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
IRLL014NTRPBF-VB www.VBsemi.com IRLL014NTRPBF-VB Datasheet N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 • Halogen-free ID (A)a RDS(on) (Ω) 0.076 at VGS = 10 V 4.5 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Qg (Typ.) • TrenchFET® Power MOSFET RoHS 10 nC COMPLIANT APPLICATIONS • Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed Drain Current TC = 25 °C TA = 25 °C TC = 25 °C TC = 70 °C Maximum Power Dissipation TA = 25 °C TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range Continuous Source-Drain Diode Current Soldering Recommendations (Peak Temperature)e, f ID IDM IS PD TJ, Tstg Limit 60 ± 20 4.5 3.2 a 2.7 2.3 20 3.2 2.1b, c 4.0 3.0 2.5b, c 1.6b, c - 55 to 150 260 Unit V A W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Symbol Maximum Unit Typical t≤5s RthJA 40 50 Maximum Junction-to-Ambienta, c, d °C/W RthJF 15 20 Steady State Maximum Junction-to-Foot (Drain) Notes: a. Package limited, TC = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under Steady State conditions is 95 °C/W. e. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection. f. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components. 1 PDF
Документация на IRLL014NTRPBF-VB 

VBJ1695.PDF Keywords:

Дата модификации: 14.03.2024

Размер: 194.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)