14 марта 2024
новость
NCE6003X
NCE6003X
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
The NCE6003X uses advanced trench technology to provide
G
excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for
use as a Battery protection or in other switching application.
S
General Features
Schematic Diagram
● VDS =60V,ID =3A
RDS(ON) <78mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 96mΩ @ VGS=4.5V
●...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJ2310 (JSCJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | ||
| P- | YJL05N04C (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| P- | IRLML0040TR (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | WM06N30M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | WM04N50M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRLML0060 (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | YJL03N06B (YJ) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| P- | IRLML2060TR (YOUTAI) | — | 20 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | YJL03N06A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P- | CS3N06AS-G (CRMICRO) | SOT-23-3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | JMTL2310A (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | WM06N30MS (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | JMTL400N04A (JIEJIE) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | FDN5630 (YOUTAI) FDN5630 (ONS-FAIR) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IRLL024N (EVVO) IRLL024N (INFIN) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TSM850N06CX RFG (TSC) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI) IRLL014NTRPBF (VBSEMI) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| A+ | YJL03N06C (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IRF7478 (EVVO) IRF7478 (INFIN) | SOP-8 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE60ND03S (NCE) | DFN-8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE6005AS (NCE) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE6005AR (NCE) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE6003X
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 20.06.2022
Размер: 637.7 Кб
7 стр.
Публикации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.