NCEP60T15G

NCEP60T15G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T15G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP60T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ CRTT032N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
A+ CRTT029N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
A+ CRTS029N06N (CRMICRO)
 
TO263
 
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ NCEP025N60G (NCE)
 
 
±
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJB200G06A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ LN7464DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP60T15G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T15G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =60V,ID =150A RDS(ON) < 3.3mΩ @ VGS=10V (Typ:2.8mΩ) ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature Marking and pin assignment ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested D D D D D D D D Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! S S S G G Top View S S S Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P60T15G NCEP60T15G DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 150 A ID (100℃) 106 A Pulsed Drain Current IDM 600 A Maximum Power Dissipation PD 200 W 1.6 W/℃ EAS 819 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP60T15G 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 18.10.2022

Размер: 974.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.