YJL03N06A

SUNCO
RoHS YJL03N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% ▽VDS Tested 60V 3.0A ＜100mohm ＜120mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) SOT-23 Applications ● DC-DC Converters ● Power manag...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJL03N06A
Внешний вид YJL03N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRLML2060TR (YOUTAI)
 
— 20 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM06N30MS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- YJL03N06AQ (YJ)
 
— 100 шт
 
 — —
P- WM06N30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- YJL03N06B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ TSM900N06CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
 — —
A+ TSM850N06CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ CJU4828 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJ2310 SOT-23 (JSCJ)
 
— 45 шт
 
 — —
A+ SI2310A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 60 шт
 
 — —
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт — —
A+ IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLL014NTRPBF (VBSEMI) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ SI2308A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —
A+ JMTL2310A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ IRLML0060 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJL03N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% ▽VDS Tested 60V 3.0A ＜100mohm ＜120mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) SOT-23 Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 3 TA=25℃ Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 12 A 1.2 W 0.8 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 104 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03N06A F2 S10. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E022 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03N06AF2 

Microsoft Word - YJL03N06A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.32 Мб

7 стр.

RoHS YJL03N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 3.0A ＜100 mohm ＜120 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Drain Current 3 ID TA=70℃ Unit A 2.4 Pulsed Drain Current A IDM 12 A Total Power Dissipation @ TC=25℃ PD 1.2 W RθJA 105 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03N06A F2 S10. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1967 Rev.2.1,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03N06A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.07.2019

Размер: 583.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)