IPD060N03LG
UMW
R
IPD060N03L
30V N-Channel MOSFET
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• N-channel, logic level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Avalanche rated
• Pb-free plating
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 50A (VGS = 10V)
RDS(ON) <6mΩ (VGS = 10V)
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherw...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 20 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | IRLR8743 (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | 100N03A (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| ± | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.