YJD50N03A

SUNCOYJ
RoHS YJD50N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 50A ＜7.3mohm ＜11.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● E...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJD120N04A
Внешний вид YJD120N04A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE3065K (NCE)
 
TO252
 
 — — — — — — — — — — — —
P= CRTD055N03L (CRMICRO)
 
TO252 — — —
P= WMO80N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ YJQ60N03A (YJ)
 
DFN30308 5000 шт
 
 — —
A+ YJQ50N03B (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG90N04A (YJ)
 
— 252 шт
 
 — —
A+ YJG50N03B (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG50N03A (YJ)
 
PDFN8L5X6
 
 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ 100N03A (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ± — — —
A+ WMK75N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB042DN03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ YJQ50N03A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ WMB040N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD50N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 50A ＜7.3mohm ＜11.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switch ● Hard switched and high frequency circuits ●Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 50 TC=25℃ Drain Current A ID 31 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 150 A 28 W 11 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 53 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.4 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD50N03A F1/F2 YJD50N03A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E609 Rev.3.2,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD50N03A 

Microsoft Word - YJD50N03A Rev 3.2

Дата модификации: 31.03.2022

Размер: 446.3 Кб

7 стр.

RoHS YJD50N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 50A ＜7.3mohm ＜11.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switch ● Hard switched and high frequency circuits ●Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 50 TC=25℃ Drain Current ID A 35 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 150 A 34 W 17 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 80 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.4 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD50N03A F2 YJD50N03A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E609 Rev.3.0,13-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD50N03A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 17.09.2020

Размер: 656.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)