YJQ13N03A

Yangjie
RoHS YJQ13N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 13A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications DFN2x2-6L ● High current load applications ● Load switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJMN3010 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P= NCE3013J (NCE)
 
DFN62X2
 
 ± — — — —
P= WMR10N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — — —
P- WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- JMTV3400A (JIEJIE)
 
DFN62X2 3000 шт
 
 — — — —
P- CJM3005 (JSCJ)
 
DFN62X2 3000 шт ± — — — — —
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMR050N03LG4 (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — —
A+ WMR14N03TB (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — — —
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ CJAB25N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ IRF8736 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ YJS12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7832 (EVVO)
 

IRF7832 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ NCE3020Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
 ± — — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ JMTQ120N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMTP3008A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ AO4406A (YOUTAI)
 
SOP-8 в ленте 20 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJQ13N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 13A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications DFN2x2-6L ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 13 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 8.0 Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 55 A 2.9 W 1.2 W PD TC=100℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 43 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ13N03A F1 Q13N03 3000 30000 120000 7” reel 1/8 S-E607 Rev.3.2,22-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ13N03AF1 

Microsoft Word - YJQ13N03A Rev. 3.2

Дата модификации: 22.02.2021

Размер: 1.16 Мб

7 стр.

RoHS YJQ13N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 13A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 13 TC=25℃ Drain Current ID A 8.0 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 55 A 2.9 W 1.2 W PD TC=100℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 43 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ13N03A F1 Q13N03 3000 30000 120000 7” reel 1/7 S-E607 Rev.3.0,12-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ13N03A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 22.09.2020

Размер: 664.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)