15N10

UMW
МОП-транзистор с N-каналом; напряжение сток-исток 100 В; ток стока 15 А (25 °C); сопротивление открытого канала 95 мОм; напряжение затвор-исток: ±20 В; общий заряд затвора 19.2 нКл; максимальная рассеиваемая мощность 55 Вт; корпус TO-252
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ 12N10 (YOUTAI)
 
— — —
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ YJG18N10A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJD25N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ YJD15N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
 — —
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO25N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R 15N10 100V N-Channel Power MOSFET 15N10 General Description The 15N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Features VDS = 100V,ID =15A RDS(ON),95 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 100mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low Total Gate Charge Low Reverse Transfer Capacitance Improved dv/dt Capability Fast Switching Speed Application Uninterruptible Power Supply(UPS) Inverter System Absolute Maximum Ratings(TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current-Continuous Note1 TC=25℃Note1 TC=25℃ TC=100℃ TC=100℃ Note2 Current-PulsedNote2 Drain Current-Pulsed Drain Dissipation Power Dissipation Maximum Power Maximum TC=25℃ TC=25℃ Storage Temperature Temperature Range Range Storage Operating Junction Junction Temperature Temperature Range Range Operating Value Unit VDS 100 V VGS ±20 V 15 15 A A 10 10 A A DM IIDM 60 60 A A PDD P 55 55 W W TSTG STG T -55 to to +175 +175 -55 ℃ ℃ TJJ T +175 -55 to to +175 -55 ℃ ℃ IIDD Thermal Resistance Resistance Thermal Parameter Parameter Thermal Resistance,Junction-to-Case Resistance,Junction-to-Case Thermal www.umw-ic.com Symbol Symbol JC RθθJC 1 Min. Min. Typ. Typ. -- 2.72 2.72 Max Max Unit Unit -- ℃/W ℃/W 友台半导体有限公司 PDF
Документация на 15N10 

UMW 15N10

Дата модификации: 20.11.2023

Размер: 995 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)