BS170FTA

UMW
UMW UMW R R BS170FTA N-Channel 60 V (D-S) MOSFET SOT–23 PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 RDS(on) (mΩ) 2.8 at VGS = 10 V ID (mA) 250 FEATURES 1. GATE • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • 1200V ESD Protection • Compliant to RoHS Dir...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002P-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P= 2N7002P (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- BS170FTA-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ 2N7002K (HOTTECH)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KCW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BSS138LT1G (JSMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — —
A+ 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ WM06N03L (WAYON)
 
SOT-523
 
 — — — — — —
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW UMW R R BS170FTA N-Channel 60 V (D-S) MOSFET SOT–23 PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 RDS(on) (mΩ) 2.8 at VGS = 10 V ID (mA) 250 FEATURES 1. GATE • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • 1200V ESD Protection • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 2. SOURCE 3. DRAIN BENEFITS • • • • • G Low Offset Voltage Low-Voltage Operation Easily Driven Without Buffer High-Speed Circuits Low Error Voltage S N-Channel MOSFET APPLICATIONS • Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc. • Battery Operated Systems • Solid-State Relays ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 250 TA = 25 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)b TA = 100 °C a ID IDM Pulsed Drain Current TA = 25 °C Power Dissipationb TA = 100 °C Maximum Junction-to-Ambientb Operating Junction and Storage Temperature Range PD 150 Unit V mA 800 0.30 0.13 W RthJA 350 °C/W TJ, Tstg - 55 to 150 °C Notes: a. Pulse width limited by maximum junction temperature. b. Surface Mounted on FR4 board. www.umw-ic.com 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на BS170FTA 

UMW BS170FTA

Дата модификации: 25.10.2022

Размер: 845.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)