SiC-компоненты от SUNCO: новые горизонты, решения и перспективы применения (материалы вебинара)

28 мая

21 мая состоялся вебинар, посвященный наработкам компании SUNCO в области технологий SiC с полным циклом производства. Карбид кремния (SiC) открывает новые возможности в создании транзисторов и диодов с характеристиками, которые ранее были недостижимы для традиционных кремниевых компонентов. Например, SiC MOSFET могут выдерживать высокие значения напряжения пробоя и переключаться на огромных частотах, а карбид-кремниевые диоды обладают минимальными потерями при переключении, и их динамические характеристики не зависят от температурных колебаний.

По результатам опроса, проведенного на вебинаре, большинство готово применять решения на основе SiC при сопоставимой цене. Использование карбид-кремниевых технологий позволяет снизить затраты на пассивные компоненты и системы охлаждения, тем самым уменьшая общие размеры. Ранее высокая стоимость устройств на основе карбида кремния стояла в противовес этим преимуществам. Однако сегодня на рынке наблюдается значительное снижение цен на SiC MOSFET и SiC-диоды.

Ознакомиться с каталогом продукции и подобрать замену можно по ссылке.

Видеозапись

Презентация

• SiC-компоненты от SUNCO: новые горизонты, решения и перспективы применения

Дополнительные материалы

• Гибридные IGBT-модули SUNCO c интегрированными SiC-диодами для эффективных инверторов
• Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок
• Зарядная станция мощностью 3…10 кВт для электромобилей

Вебинары по смежной тематике

• Диоды и биполярные транзисторы SUNCO (24.04.2024)
• Защитные компоненты от производителя SUNCO (24.10.2023)
• Силовое электрооборудование для транспорта (18.04.2023)
• Современные технологии MOSFET азиатских производителей (08.08.2023)
• Решения для силовых применений (21.12.2023)
• Драйверы управления затвором (17.10.2023)

SiC-компоненты, доступные со склада КОМПЭЛ прямо сейчас

• YJD212080NCFG1/YJ
• YJD212040NCTG1/YJ
• YJD212040NCFG2/YJ
• YJD212080NCTG1/YJ
• YJD212080NCTG1/YJ

Полную информацию (документацию, цены, сроки поставок)  SIC-компонентов вы всегда можете найти в нашем каталоге:

• Выпрямительные диоды/Каталог Компэла
• FET транзисторы SUNCO/Каталог Компэла

Ответы на вопросы

Что можете сказать о сборках для моторов, управляемых лог-уровнем (встроенным драйвером)?

Выпуск IPM-модулей на основе SiC планируется только к 2026 году.

В свое время столкнулся с проблемой, что драйверы стандартных транзисторов плохо подходят для управления SiC. Уточните, пожалуйста, выпускает ли SUNCO драйверы для них.

Управление карбид-кремниевыми (SiC) транзисторами имеет некоторые особенности. В частности драйвер должен обеспечивать выходное напряжение не менее 18…20 В и желательно иметь возможность подачи отрицательного запирающего напряжения для силового ключа. Также важным параметром является и время распространения (Propagation delay), которое должно соответствовать максимальной частоте работы схемы. Примеры таких драйверов приведены в статье «Изолированные интеллектуальные драйверы затвора от Novosense для ответственных применений». Также могут быть использованы и более простые микросхемы серии PN79xx, выпускаемые компанией Chipown.

Производство находится на материковом Китае?

Все производство находится в Китае, за исключением строящейся новой фабрики во Вьетнаме, которая будет выпускать компоненты под брендом MCC для западных рынков.

Какой срок составляет анализ отказа?

5 рабочих дней. Из них 1-2 занимает общая проверка компонента, столько же — проверка чипа, подготовка отчета длится 1 день.