BLM90N10L

 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание N-Channel Trench MOSFET, TO252, 100 V, 10 A, 0,072 Ohm
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ TSM900N10CP (TSC)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ TSM900N10CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
A+ TSM900N10CH X0G (TSC)
 
TO251 75 шт
 
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMS175N10LG4 (WAYON)
 
4000 шт
 
A+ WMS175N10HG4 (WAYON)
 
 
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
A+ YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.