BLM90N10L
- Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM90N10L
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Примечание | N-Channel Trench MOSFET, TO252, 100 V, 10 A, 0,072 Ohm |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 12
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMS175N10LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | TSM900N10CP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMS175N10LG4 (WAYON) | — | 4000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMS175N10HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | YJS11G10A (YJ) | SOP-8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.