CRTD085N06N2-G
CRTD085N06N2-G
Trench N-MOSFET 60V, 6.5mΩ, 85A
Features
Product Summary
• Uses CRM advanced Trench technology
VDS
60V
• Extremely low on-resistance RDS(on)
RDS(on) typ.
6.5mΩ
• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)
ID
85A
• Qualified according to JEDEC criteria
(Silicon limit)
100% DVDS Tested
Applications
100% Avalanche Tested
• Motor control and drive
• Electrical tools
• Lithium ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 31
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMO25N06TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | JMTK58N06B (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
P- | NCE6080AK (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | CJU70N06 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | WMO50N06TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJD50N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | IRFS3607L (EVVO) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK060N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE6080A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE60H15AT (NCE) | TO-247-3 | в линейках 600 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG80G06A (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CRST055N07N (CRMICRO) | TO-220-3 | в линейках 5000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CS120N06C8 (CRMICRO) | TO220AB | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJD80G06A (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | JMSH0804NC-U (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJD80G06C (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJB150G06AK (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | WMO80N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC13TH06 (JSCJ) | — | в ленте 20 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMTG060N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB034N06HG4 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO030N06LG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO030N06HG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK80N06T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK100N07TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG95G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG80G06B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMB040N08HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJD90N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG85G06AK (YJ) | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.