IRLML0060

UMW
UMW UMW R R IRLML0060 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET Product summary VDS (V) SOT–23 RDS(on) (mΩ) 92 at VGS = 10 V 60 116 at VGS = 4.5 V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Features • • • • Industry-standard pinout Compatible with existing Surface Mount Techniques compliant containing no lead, no bromide and no halogen Industrial qualification *   ' 6  SOT23 Absolute Maximum Ratings Symbol ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM06N30MS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJL03N06B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
P- CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- WM06N30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- JMTL2310A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ TSM850N06CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ AD-CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — —
A+ IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLL014NTRPBF (VBSEMI) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ SI2310A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт — —
A+ SI2308A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW UMW R R IRLML0060 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET Product summary VDS (V) SOT–23 RDS(on) (mΩ) 92 at VGS = 10 V 60 116 at VGS = 4.5 V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Features • • • • Industry-standard pinout Compatible with existing Surface Mount Techniques compliant containing no lead, no bromide and no halogen Industrial qualification *   ' 6  SOT23 Absolute Maximum Ratings Symbol VDS Parameter Max. Units 60 V ID @ TA = 25°C Drain-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V 2.7 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 2.1 IDM Pulsed Drain Current 11 PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation 1.25 PD @TA = 70°C Maximum Power Dissipation 0.80 Linear Derating Factor 0.01 VGS Gate-to-Source Voltage ± 16 W/°C V TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C A W Thermal Resistance Symbol Parameter e RJA Junction-to-Ambient RJA Junction-to-Ambient (t<10s) www.umw-ic.com f 1 Typ. Max. ––– 100 ––– 99 Units °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRLML0060 

UMW IRLML0060

Дата модификации: 30.10.2023

Размер: 523.8 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)