YJL03N06B

SUNCOYJ
RoHS YJL03N06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) 60V 3.0A ＜100mohm ＜120mohm ＜200mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Pow...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM06N30MS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM06N30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- IRLML0060 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 9000 шт
 
 — —
P- JMTL2310A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — —
A+ JMTN2310A (JIEJIE)
 
SOT893L 1000 шт
 
 — — — —
A+ SI2310A (YOUTAI)
 
SOT-23-3
 
 — —
A+ CJU4828 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJL03N06AQ (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJH03N06B (YJ)
 
SOT-89 — —
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 1000 шт — —
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ SI2308A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJL03N06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) 60V 3.0A ＜100mohm ＜120mohm ＜200mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±16 V TA=25℃ Unit 3 Drain Current ID A TA=70℃ 2.4 Pulsed Drain Current A IDM 12 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ Steady State PD 1.2 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 105 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03N06B F2 S10B. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E017 Rev.3.1,27-Aug-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03N06B 

Дата модификации: 27.08.2021

Размер: 746.5 Кб

7 стр.

RoHS YJL03N06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 3.0A ＜100 mohm ＜120 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Drain Current 3 ID TA=70℃ Unit A 2.4 Pulsed Drain Current A IDM 12 A Total Power Dissipation @ TC=25℃ PD 1.2 W RθJA 105 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03N06B F2 S10B 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E017 Rev.2.0,05-Sep-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03N06B 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 05.09.2019

Размер: 583.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)