JMTL2310A

JIEJIE
JMTL2310A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 3A RDS(ON)< 100mΩ @ VGS =10V RDS(ON)< 120mΩ @ VGS =4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM06N30MS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJL03N06B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
P- NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- IRLML0060 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 9000 шт
 
 — —
P- WM06N30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — —
A+ JMTN2310A (JIEJIE)
 
SOT893L 1000 шт
 
 — — — —
A+ SI2310A (YOUTAI)
 
SOT-23-3
 
 — —
A+ CJU4828 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJL03N06AQ (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJH03N06B (YJ)
 
SOT-89 — —
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 1000 шт — —
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ SI2308A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTL2310A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 3A RDS(ON)< 100mΩ @ VGS =10V RDS(ON)< 120mΩ @ VGS =4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) S10 JMTL2310A TAPING SOT-23 7inch 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ 3 A TA = 100℃ 2 A 12 A 1.5 W 83 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG note1 TA = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Ambient Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.2 -1- PDF
Документация на JMTL2310A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 07.04.2022

Размер: 325 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)