HKTQ80N03

HKTQ80N03 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) D D D D FEATURES  VDS=3 0V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10 V,ID=20A  Ultra Low on-resistance  For Low power DC to DC converter application  For Load switch application S G SS  Surface Mount device D MECHANICAL DATA      Case: PDFN3333 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.012 grams (approximate) Markin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSZ034N04LS (EVVO)
 
PDFN568
 
±
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB150N03TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMQ80N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ WMB100N04TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO120N04TS (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ IRLR7843 (EVVO)
 

IRLR7843 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ BSC034N03LSG (EVVO)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ IRLR3114Z (EVVO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ NCE3095K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ CJU100N03S (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO150N03T1 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAB75N03U (JSCJ)
 
в ленте 5000 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
HKTQ80N03 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) D D D D FEATURES  VDS=3 0V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10 V,ID=20A  Ultra Low on-resistance  For Low power DC to DC converter application  For Load switch application S G SS  Surface Mount device D MECHANICAL DATA      Case: PDFN3333 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.012 grams (approximate) Marking:Q80N03 1 8 2 7 3 6 4 5 G S PDFN3333 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage Continuous Drain Current ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ ±20 V 1 80 A 1 45 A 280 A Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current 2 EAS Single Pulse Avalanche Energy IAS Avalanche Current 3 4 56 mJ 40 A 37 W PD@TC=25℃ Total Power Dissipation TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS(th) Gate Threshold Voltage Conditions Min. Typ. Max. Unit 30 --- --- V VGS=10 V , ID=20A 4.3 5.2 mΩ VGS=4.5V , ID=20A 5.5 6.6 mΩ V VGS=0V , ID=250uA 2 VGS=VDS , ID =250uA 1.0 1.3 2.5 VDS=30V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 VDS=24V , VGS=0V , TJ=125℃ --- --- 10 IDSS Drain-Source Leakage Current IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA Rg Gate Resistance VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 0.85 --- Ω Qg Total Gate Charge (10V) --- 38 --- Qgs Gate-Source Charge --- 5.0 --- Qgd Gate-Drain Charge --- 12 --- Turn-On Delay Time --- 8.5 --- Td(on) VDS=15V , VGS=10V , ID=20A Rise Time VDD=15V , VGS=10V , RG=3Ω, --- 9 --- Turn-Off Delay Time ID=20A --- 30 --- Fall Time --- 10 --- Ciss Input Capacitance --- 1920 --- Coss Output Capacitance --- 300 --- Crss Reverse Transfer Capacitance --- 260 --- Tr Td(off) Tf ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz E-mail:hkt@heketai.com uA nC ns pF PDF
Документация на HKTQ80N03 

Subject:

Дата модификации: 20.05.2022

Размер: 1.9 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.