DMMT5551S
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23/ Plastic-Encapsulate Transistors
'0076
SOT-23 -6L
TRANSISTOR (NPN+NPN)
FEATURES
z Epitaxial Planar Die Construction
z Ideal for Medium Power Amplification and Switching
C1
E1
C2
B1
E2
B2
MARKING: 5551S
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
180
V
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на DMMT5551S
Microsoft Word - MMBT5551 SOT-23美的.doc
Дата модификации: 03.06.2020
Размер: 1.33 Мб
3 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.