DMMT5551S
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23/ Plastic-Encapsulate Transistors
'0076
SOT-23 -6L
TRANSISTOR (NPN+NPN)
FEATURES
z Epitaxial Planar Die Construction
z Ideal for Medium Power Amplification and Switching
C1
E1
C2
B1
E2
B2
MARKING: 5551S
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
180
V
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Тип проводимости и конфигурация |  | |
|---|---|---|
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Коэффициент усиления по току |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | 2N5551 (DC) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | 1000 шт |
![Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]](/dataimg/korpus/kk/to-92-3/b11d2b5dfabada87723a9b401400476a.jpg){kind=small}
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | CXT5551 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | MMBT5551 (YOUTAI) MMBT5551 (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | MMBTA42G-AE3-R (UTC) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | MMBT5551Q (YJ) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | FMMT495 (JSCJ) FMMT495 (DIODES) | SOT-23-3 | 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | MMBT5551 200-300 (JSCJ) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | MMBT5551-G (JSCJ) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | MMBT5551 (JSCJ) MMBT5551 (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CZT5551 (JSCJ) | SOT-223 | в ленте 10 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — |  | ||
| A+ | CXT5551 120-180 (JSCJ) | SOT-89-3L |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | CZT5551 80-250 (JSCJ) | SOT-223 |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CZT5551 SOT-223 (JSCJ) | SOT-223 |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | 2N5551 (JSCJ) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | 2000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN | ||
| A+ | 2N5551-TA (JSCJ) | TO-92-3 |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | AD-CZT5551 (JSCJ) | SOT-223 |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | MMST5551 (JSCJ) | — | 3000 шт |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | MMBT5551W (SHIKUES) | SOT-323-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | MMBTA42 (SHIKUES) MMBTA42 (ONS-FAIR) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | SXT5551 (SHIKUES) | SOT-89 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | LMBT5551LT1G (LRC) | — | 150 шт |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на DMMT5551S
Microsoft Word - MMBT5551 SOT-23美的.doc
Дата модификации: 03.06.2020
Размер: 1.33 Мб
3 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.