MMBT5551

Биполярный N-P-N - транзистор. Напряжение коллектор-эмиттер 160 В; максимальный ток коллектора 600 мА; мощность рассеивания 300 мВт; коэффициент усиления по току h21: 100…300; fT 100 МГц; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
P= MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
P= MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT5551 (SHIKUES)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 350 шт
 
P= MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= MMBT5551Q (YJ)
 
 
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMST5551 (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ 2N5551 (JSCJ)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 2000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ A42 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 10 шт
 
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
 
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
3000 шт
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMDT5551 (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ DMMT5551S (JSCJ)
 
 
A+ MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 4

показать свернуть
30 октября 2024
новость

Электронные компоненты китайских производителей для построения домашних накопителей энергии

Помимо заводских цехов и офисов, накопители электроэнергии на основе аккумуляторов большой емкости все чаще встречаются в быту. Они решают такие задачи, как: накопление электроэнергии от устройств «зеленой» генерации (солнечных панелей, ветряков)... ...читать

11 октября 2024
статья

Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

30 января 2024
новость

Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

17 июля 2023
новость

Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.