MMBT5551

Shikues
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBT5551 (YJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2N5551 (JSCJ)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
A+ MMBT5551L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 10 шт
 
 — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
PDF
Документация на MMBT5550 

Дата модификации: 27.10.2020

Размер: 1.51 Мб

4 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    30 октября 2024
    новость

    Электронные компоненты китайских производителей для построения домашних накопителей энергии

    Помимо заводских цехов и офисов, накопители электроэнергии на основе аккумуляторов большой емкости все чаще встречаются в быту. Они решают такие задачи, как: накопление электроэнергии от устройств «зеленой» генерации (солнечных панелей, ветряков)... ...читать

    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)