MMBT5551

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5551Q (YJ)
 
 
P= MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT5551 (YJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ DMMT5551S (JSCJ)
 
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 10 шт
 
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
 
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
 
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
3000 шт
A+ 2N5551 (JSCJ)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 2000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
A+ MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
A+ SXT5551 (SHIKUES)
 
SOT-89
 
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ LMBT5551LT1G (LRC)
 
150 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN

Файлы 1

показать свернуть
Документация на MMBT5550 

Дата модификации: 27.10.2020

Размер: 1.51 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.