NCE0115K
NCE0115K
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE0115K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =100V,ID =15A
Schematic diagram
RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=10V (Typ:80mΩ)
RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V (Typ:85mΩ)
● High den...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | IRFR3910TRPBF (JSMICRO) IRFR3910TRPBF (INFIN) | — | 200 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | IRFR3910 (EVVO) IRFR3910 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM900N10CP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMSL1040AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMSL1040AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMK25N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | IRFR3410 (EVVO) IRFR3410 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJS15G10A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 300 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRF540NS (EVVO) IRF540NS (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0130KA (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0130GA (NCE) | DFN-8 | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | 1 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | IRFR540Z (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMO25N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE0115K
Microsoft Word - NCE0115K data sheet -DJ.doc
Дата модификации: 09.12.2020
Размер: 415 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.