NCE3080KA

NCE3080KA http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =80A RDS(ON) <6.5mΩ @ VGS=10V Schematic diagram RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=5V ● High density cell design for ultr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJD180N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт
P- CJU100N03S (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- CRTD045N03L (CRMICRO)
 
TO252 20 шт
P- WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCE3095K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRLR8743 (EVVO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ BSC034N03LSG (EVVO)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ IRLR7843 (EVVO)
 

IRLR7843 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRLR8726 (EVVO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ 100N03A (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO150N03T1 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE3080KA 

Microsoft Word - NCE3080KA.doc

Дата модификации: 15.05.2019

Размер: 369.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.