NCEP0116K

NCEP0116K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0116K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO25N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMSL1040AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3
A+ YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJD25N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJD15N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMTK320N10A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP0116K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0116K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =100V,ID =16A RDS(ON)=78mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Marking and pin assignment Application ● LED backlighting ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! TO-252 -2Ltop view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP0116K NCEP0116K TO-252-2L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 16 A ID (100℃) 11.3 A Pulsed Drain Current IDM 64 A Maximum Power Dissipation PD 55 W 0.37 W/℃ EAS 26 mJ Drain Source voltage slope, VDS ≤120 V, dv/dt 50 V/ns Drain Source voltage slope, VDS ≤120 V, ISD<ID dv/dt 50 V/ns TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCEP0116K 

Microsoft Word - NCEP0116K data sheet -DJ.doc

Дата модификации: 22.12.2020

Размер: 373 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.