RU8205G

Ruichi
RU8205G N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description • 20V/6A, RDS (ON) =21mΩ (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =30mΩ (Typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged TSSOP-8 • Lead Free and Green Available Applications • Power Management Absolute Maximum Ratings Symbol Dual N-Channel MOSFET Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25°C Unless Otherw...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSSOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS8205A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJS8205B (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ LDN2367T1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
 ± — — — — —
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
 ± — — — — —
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJL2016 (JSCJ)
 
SOT236L 60 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJL2013 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RU8205G N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description • 20V/6A, RDS (ON) =21mΩ (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =30mΩ (Typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged TSSOP-8 • Lead Free and Green Available Applications • Power Management Absolute Maximum Ratings Symbol Dual N-Channel MOSFET Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 20 VGSS Gate-Source Voltage ±12 Maximum Junction Temperature 150 °C -55 to 150 °C TA=25°C 1.7 A TA=25°C 24 TA=25°C 6 TA=70°C 4.5 TA=25°C 1.5 TA=70°C 0.96 TJ TSTG IS Storage Temperature Range Diode Continuous Forward Current V Mounted on Large Heat Sink IDP 300μs Pulse Drain Current Tested ID Continuous Drain Current(VGS=4.5V) PD RθJA ② Maximum Power Dissipation Thermal Resistance-Junction to Ambient Copyright Ruichips Semiconductor Co., Ltd Rev. C– NOV., 2011 ① A A 83.5 W °C/W www.ruichips.com PDF
Документация на RU8205G 

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 255.7 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)