WMB080N03LG2
WMB080N03LG2
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
D
D
D
D
D
D
DD
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This
G
G
ss
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN5060-8L
Features
⚫
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJG40N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | IRFR3707Z (EVVO) IRFR3707Z (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE065N30K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ46N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ40N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO70N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO60N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMK80N04T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK75N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB080N03LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 29.06.2022
Размер: 625.1 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.