YJS15G10C

SUNCOYJ
RoHS YJS15G10C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested 100V 15A ＜9.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen F...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ IRLR3410TR (YOUTAI)
 

IRLR3410TR (INFIN) 		— 1000 шт — —
A+ IRFR3910TR (YOUTAI)
 

IRFR3910TR (INFIN) 		— в ленте 2500 шт — —
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ YJG18N10A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WMO25N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ 12N10 (YOUTAI)
 
— — —
A+ YJD25N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ YJD15N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
 — —
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ 15N10 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
A+ WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS15G10C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested 100V 15A ＜9.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC/DC Primary Side Switch ● Telecom/Server ● Synchronous Rectification ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 15 Drain Current ID A TA =100℃ 9.5 Pulsed Drain Current A IDM 75 A Avalanche Energy, Single Pulse(L=0.5mH) EAS 200 mJ Total Power Dissipation B PD 3.8 W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient C t≤10S Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Lead Steady-State Typ Max 25 32 47 60 13 20 Units RθJA RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS15G10C F2 Q15G10C 4000 8000 64000 13“ reel 1/6 S-E408 Rev.3.2,22-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS15G10C 

Дата модификации: 22.03.2023

Размер: 856.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)