Вход / Регистрация

2N4401

DC Components
LS: транзистор NPN. 60 V. 0.6 A. 0.6 W
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание LS: транзистор NPN. 60 V. 0.6 A. 0.6 W
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= 2N4401 (JSCJ)
 

2N4401 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— 200 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT4401 (JSCJ)
 

MMBT4401 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT4401Q (YJ)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2N4401 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 .189(4.8) .169(4.3) Pinning 1 = Emitter 2 = Base 3 = Collector 2 TYP. .189(4.8) .169(4.3) 2 TYP. .500 MIN. (12.7) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Characteristic VCBO 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V IC 600 mA mW Collector Current o Total Power Dissipation(TA=25 C) PD 625 Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .020(0.5) .012(0.3) .050 TYP. (1.27) .020(0.5) .012(0.3) .098 TYP. (2.5) .146(3.7) .130(3.3) C 5 TYP. C 5 TYP. .052 TYP. (1.3) Dimensions in inches and (millimeters) Electrical oCharacteristics (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO 60 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 40 - - V IC=1mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 5 - - V IE=10µA, IC=0 Collector Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage (1) DC Current Gain Test Conditions IC=100µA, IE=0 ICEX - - 100 nA VCE=35V, VBE=0.4V VCE(sat)1 - - 400 mV IC=150mA, IB=15mA VCE(sat)2 - - 750 mV IC=500mA, IB=50mA VBE(sat)1 750 - 950 mV IC=150mA, IB=15mA VBE(sat)2 - - 1.2 V IC=500mA, IB=50mA hFE1 20 - - - IC=0.1mA, VCE=1V hFE2 40 - - - IC=1mA, VCE=1V hFE3 80 - - - IC=10mA, VCE=1V hFE4 100 - 300 - IC=150mA, VCE=1V hFE5 40 - - - IC=500mA, VCE=2V Transition Frequency fT 250 - - MHz Output Capacitance Cob - - 6.5 pF (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle Classification of hFE1 Rank A B Range 100~210 190~300 2% IC=20mA, VCE=10V, f=100MHz VCB=5V, IE=0, f=1MHz PDF
Документация на 2N4401 

Дата модификации: 17.05.2023

Размер: 24.8 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)