PZT3904

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZT3904 TRANSISTOR (NPN) SOT-223 FEATURES    Low Voltage and Low Current Complementary to PZT3906 General Purpose Amplifier and Switch Application 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Vol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PZT3904 (SHIKUES)
 

PZT3904 (ONS-FAIR)
SOT-223
 
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ MMBT3904Q (YJ)
 
 
A+ MMBT5551Q (YJ)
 
 
A+ MMST3904Q (YJ)
 
SOT-323-3
A+ PBSS4130T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZT3904 TRANSISTOR (NPN) SOT-223 FEATURES    Low Voltage and Low Current Complementary to PZT3906 General Purpose Amplifier and Switch Application 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 200 mA 1 W 125 ℃/W -55~+150 ℃ IC Collector Current PC Collector Power Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=0.01mA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=0.01mA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 50 nA Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VEB=3V 50 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V, IC=0 50 nA hFE(1) VCE=1V, IC=0.1mA 40 hFE(2) VCE=1V, IC=1mA 70 hFE(3) VCE=1V, IC=10mA 100 hFE(4) VCE=1V, IC=50mA 60 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) Transition frequency Collector output capacitance fT Cob 300 IC=10mA,IB=1mA 0.2 V IC=50mA,IB=5mA 0.3 V 0.85 V IC=10mA,IB=1mA 0.65 IC=50mA,IB=5mA VCE=20V,IC=10mA, f=100MHz 0.95 300 VCB=5V, IE=0, f=1MHz 4 Delay time td VCC=3V, VBE(off)=0.5V IC=10mA, 35 Rise time tr IB1= -IB2=1mA 35 Storage time ts VCC=3V, IC=10mA, 200 Fall time tf IB1=-IB2=1mA 50 www.jscj-elec.com 1 V MHz pF ns ns Rev. - 2.0 PDF
Документация на PZT3904 

Microsoft Word - PZT3904 SOT-223_A_.doc

Дата модификации: 12.05.2020

Размер: 716.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.