NCE3035G
Pb Free Product
NCE3035G
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3035G uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =30V,ID =35A
RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 12mΩ @ VGS=4.5V
Schematic diagram
● High density ce...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 28
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMQ37N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| P- | JMSL0315AG (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | YJG40N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | WMQ40N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | IPD060N03LG (YOUTAI) | — | 20 шт |
| — | — | |||||||||||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | CJAB35SN03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | CJAB35N03S (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | CJAB35N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMB52N03T2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMQ55N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMB050N03LG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | WMQ050N03LG4 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
| A+ | JMTQ3005A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | CJAC35N03S (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE3035G
Microsoft Word - NCE3035G.doc
Дата модификации: 25.05.2017
Размер: 331.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.