NCEP3040Q

NCEP3040Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP3040Q uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ IPD060N03LG (YOUTAI)
 
20 шт
A+ YJQ50N03A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ JMTQ3003A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMTQ040N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ CJAB75N03U (JSCJ)
 
в ленте 5000 шт
 
±
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ CJAB60N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB55N03S (JSCJ)
 
±
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ WMQ040N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 1 шт
 
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJQ60N03A (YJ)
 
DFN30308 5000 шт
 
A+ YJQ50N03B (YJ)
 
 
A+ YJG50N03B (YJ)
 
 
A+ YJG50N03A (YJ)
 
PDFN8L5X6
 
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMB042DN03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB040N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP3040Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP3040Q uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =30V,ID =40A Schematic Diagram RDS(ON)=6.8mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=9.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Pin Assignment ● 100% UIS tested Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! Top View Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP3040Q NCEP3040Q DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 40 A ID (100℃) 28.3 A Pulsed Drain Current IDM 125 A Maximum Power Dissipation PD 25 W 0.2 W/℃ EAS 150 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.1 PDF
Документация на NCEP3040Q 

Microsoft Word - NCEP3040Q data sheet.doc

Дата модификации: 09.07.2019

Размер: 325.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.