NCEP3040Q
NCEP3040Q
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Description
The NCEP3040Q uses Super Trench technology that is
uniquely optimized to provide the most efficient high
frequency switching performance. Both conduction and
switching power losses are minimized due to an extremely
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for
high-frequency switching and synch...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN83X3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN83X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IPD060N03LG (YOUTAI) | — | 20 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ80N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJQ50N03B (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | YJG50N03B (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTQ3005A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCEP3040Q
Microsoft Word - NCEP3040Q data sheet.doc
Дата модификации: 09.07.2019
Размер: 325.6 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.